Биполярный NPN транзистор КТ815Г

Низкочастотный кремниевый биполярный NPN транзистор средней мощности для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.

Основные технические характеристики транзистора КТ815Г:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В;
• Uкбо max - Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э: 100 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А;